智能手机
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智能手机解决方案
目前我国智能手机普及率69%。随着科技的进步,我国已经进入5G时代,5G手机市占率超过60%。预计2026年全球手机销量将达到11.38亿。为应对手机智能化发展,金泰克提供eMMC5.1和LPDDR产品的方案,应用数据加速模式,大幅提升存储硬件产品的读写性能,既优化用户体验,又能在提高生产效率情况下,匹配动/静态磨损均衡算法,智能优化数据分布,延长闪存使用寿命。
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智能手机解决方案代表产品
Kimtigo eMMC 5.1
Kimtigo eMMC 5.1
LPDDR4/4X-3200
LPDDR4/4X-3200
LPDDR3-1866
LPDDR3-1866
KTS eMMC 5.1
KTS eMMC 5.1
• 数据加速模式:大幅提升产品的读写性能,既能优化用户体验,又能提高生产效率。
• 动/静态磨损均衡算法:智能优化数据分布,延长闪存使用寿命。
• 主动读干扰替换技术:提前发现并规避数据干扰,为产品长期稳定使用保驾护航。
• 增强的ECC纠错:增强型数据纠错能力,比普通数据纠错算法提高至少30%纠错能力。
• 坏块生命周期管理:智能管理闪存坏块,延长闪存使用寿命。
• 无预期掉电保护:超过10万次的异常掉电承受能力,保护用户数据不丢失。

产品名称产品型号容量协议标准NANDPackage封装Dimensions尺寸工作温度储存温度
Kimtigo   eMMC   5.1KM110SA2008GxA-DDD00WT8GBeMMC 5.12D MLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM1SA3016G-A00W16GBeMMC 5.12D MLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM210LM0032GxA-AAA00WT32GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM110SA1032GxA-AAA00WT32GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM310MA4032GxA-AAA00WT32GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM310MY1032GxA-AAA00WT32GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM3MA5032G-A00W32GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM3MA6064G-A00W64GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM110SA1064GxA-AAA00WT64GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM210LM0064GxA-AAA00WT64GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM310MY1064GxA-AAA00WT64GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM210LM0128GxA-AAA00WT128GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃
KM3MA6128G-A00W128GBeMMC 5.13D TLCFBGA15311.5*13mm-25℃~85℃-40℃~85℃


• 时钟频率范围:1066-1600MHz
• 传输率:2133-3200Mb/s MAX
• 无卤制程,提倡环保制程
• 速度等级,访问周期:625ps@RL=28/32(x16 device)
• 操作温度范围:-25℃-85℃

产品名称产品型号容量协议标准LPDDRPackage尺寸工作温度保存温度
LPDDR4-3200  KL41S01256M32D1BNP-DDD01ST8GbLPDDR4-3200SDP  20nmFBGA20010*14.5*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃
KL41S01512M32D1BNP-DDD01ST16GbLPDDR4-3200DDP 20nmFBGA20010*14.5*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃
KL41S02512M32D2BNP-DDD01ST16GbLPDDR4-3200DDP 18nmFBGA20010*14.5*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃
KL41S03768M32D4BNP-DDD01ST24GbLPDDR4-3200QDP 18nmFBGA20010*14.5*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃
KL41S021024M32D4BNP-DDD01ST32GbLPDDR4-3200QDP 18nmFBGA20010*14.5*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃
LPDDR4X-3200KLXCMBCD02-EL0M16GbLPDDR4X-3200DDP 19nmFBGA20010*15*1.0mm.max-25℃~85℃-40℃~95℃


• 传输率:1866Mb/s MAX;
• 速度等级,访问周期:1.07ns@RL=14。访问周期短,启动快、读写速度快,用户体验流畅;
• 符合JEDEC标准JESD209-3C;
• 无卤制程,提倡环保制程。

产品名称

产品型号

容量

协议标准

LPDDR

Package

尺寸

工作温度

保存温度

LPDDR3-1866  

KL31S00128M32D1LPF-DDD01ST

4Gb

LPDDR3-1866

SDP   20nm

FBGA178

11*11.5*1.0mm.max

-25℃~85℃

-40℃~95℃

KL31S00356M32D1LPF-DDD01ST

8Gb

LPDDR3-1866

SDP   20nm

FBGA178

11*11.5*1.0mm.max

-25℃~85℃

-40℃~85℃

KL31S04256M32D2LPF-DDD01ST

8Gb

LPDDR3-1866

DDP   20nm

FBGA178

11*11.5*1.0mm.max

-25℃~85℃

-40℃~85℃

KL31S00512M32D2LPF-DDD01ST

16Gb

LPDDR3-1866

DDP   20nm

FBGA178

11.5*13*1.0mm.max

-25℃~85℃

-40℃~85℃


• 数据加速模式:大幅提升产品的读写性能,既能优化用户体验,又能提高生产效率。
• 动/静态磨损均衡算法:智能优化数据分布,延长闪存使用寿命。
• 主动读干扰替换技术:提前发现并规避数据干扰,为产品长期稳定使用保驾护航。
• 增强的ECC纠错:增强型数据纠错能力,比普通数据纠错算法提高至少30%纠错能力。
• 坏块生命周期管理:智能管理闪存坏块,延长闪存使用寿命。
• 无预期掉电保护:超过10万次的异常掉电承受能力,保护用户数据不丢失。

产品名称

产品型号

产品容量

协议标准

NAND

Package封装

Dimensions尺寸

工作温度

储存温度

KTS   eMMC 5.1

TM1SA1032G-A00W

32GB

eMMC   5.1

3D   TLC

FBGA153

11.5*13mm

-25℃~85℃

-40℃~85℃

TM1SA1064G-A00W

64GB

eMMC   5.1

3D   TLC

FBGA153

11.5*13mm

-25℃~85℃

-40℃~85℃